Výzkum

Transportní vlastnosti polovodičů (CdTe/CdZnTe, SiC, GaAs, TlBr, perovskity)

  • Charakterizační metody
    • Time-of-Flight Laser-Induced Transient current technique (L-TCT) - měření transportních vlastností detektorů
    • Teplotní závislost elektrické vodivosti a Hallova jevu v oboru teplot 4,2–1300K
    • Contactless resistivity (COREMA)

Optické vlastnosti polovodičů (CdTe/CdZnTe, SiC, GaAs, TlBr, perovskity)

  • Charakterizační metody:
    • Pockels effect
    • Photoluminiscence 4,2–300K
    • Infrared absorption / transmission 4,2–300K
    • Photoconductivity 4,2–300K

Spektroskopie hlubokých hladin

  • Charakterizační metody:
    • Photo-Hall effect spectroscopy (PHES)
    • Thermoelectric emission spectroscopy (TEES)

Spektroskopické vlastnosti detektorů

  • Charakterizační metody:
    • Měření součinu pohyblivosti a doby života pomocí alfa částic a gama záření
    • Time-of-Flight Laser-Induced Transient current technique (L-TCT) - měření vnitřního elektrického pole v detektorech a součinu pohyblivosti a doby života

Růst polovodičových monokrystalů (II-VI - CdTe/CdZnTe, Perovskity)

  • Metody růstu:
    • Vertical Gradient Freeze Method (VGFM)
    • Vertical Bridgman Method (VBM)
    • Horizontal Bridgman Method (HBM)
    • Horizontal Traveling Heater Method (H-THM)