Granty:

  • Belas (102-47/10010210) XiChip - Čipy sensorů a technologie pro rentgenové zobrazování

    Grantová agentura: TAČR
    Identifikační číslo grantu: FW10010210
    Hlavní řešitel: prof. Ing. Eduard Belas, CSc.
    Spoluřešitelé: Prof. RNDr. Roman Grill, CSc., P. Praus (), RNDr. Marián Betušiak

    Annotace grantu

    Vykázání publicity projektu TREND, číslo FW10010210, Xichip za spoluřešitele Univerzita Karlova, MFF UK:

    „Tento projekt je spolufinancován se státní podporou Technologické agentury ČR v rámci Programu Trend."

    Logo TACR

Ukončené granty:

  • Betušiak (102-10/252199) Charakterizace hlubokých hladin v semi-izolačních polovodičích pomocí metody laserem-indukovaných tranzientních proudů

    Grantová agentura: GAUK
    Identifikační číslo grantu: 393222
    Hlavní řešitel: RNDr. Marián Betušiak

    Annotace grantu
    Semiconductor-based devices are currently used in almost every aspect of everyday life. As a result, permanently increasing demands on an access to high-quality cost affordable materials appear. The performance of any semiconductor device is affected by its defect structure. Identification and elimination of the defects is an integral part of semiconductor fabrication. Over the years, many different defect characterization techniques have emerged, one of which is the laser-induced transient current technique (LTCT). In this project, L-TCT will be used to study space the charge formation in samples equipped with blocking contacts while additional (blocking) contact illumination will be used to manipulate quasi-Fermi level position. A novel approach will be developed and tested on well-explored CdZnTe samples and applied to TlBr and halide perovskites.