doc. RNDr. Jan Kunc, PhD.
- Pracoviště: Fyzikální ústav UK, Ke Karlovu 5
- Místnost: L023, Magnetooptická laboratoř
- Telefon: +420 221 912 854
- Fax: +420 224 922 111
Odborné zájmy:
Epitaxní grafén bude v kombinaci s karbidem křemíku (SiC) využit k výrobě laditelných elektronických a optoelektronických součástek. V projektu bude využíváno unikátních vlastností jak grafénu, tedy polokovu s malou hustou stavů, tak SiC, polovodiče s širokým zakázaným pásem. V rámci projektu proběhne optimalizace růstu epitaxního grafénu a pomocí analyzátoru reziduálních plynů bude kontrolována a charakterizována čistota růstového prostředí. Budou vyrobeny heterostruktury SiC/ grafen/SiC/grafen které jednak umoží změnu koncentrace nosičů náboje v grafénu, a jednak opticky zpřístupní vodivostní kanál v SiC pro optoelektronické aplikace. Budou vyrobeny elektronické laditelné tunelovací diody na bázi rozhraní grafén/kov. Laditelnost bude dosažena možností změny koncentrace nosičů náboje v grafénu.
Směry výzkumu
- Růst a optimalizace růstu epitaxního grafénu
- Hmotnostní spektroskopie a optická emisní spektroskopie
- Výroba elektronických a optoelektronických laditelných součástek na bázi grafénu a SiC
Odborný životopis:
RNDr. Jan Kunc, Ph.D., has gained his expertise in graphene growth and graphene device fabrication during his postdoctoral stay (2011–2014) at the Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA in the group of Walt de Heer. Jan Kunc’s expertise includes epitaxial graphene growth by thermal decomposition of SiC, hydrogen etching, hydrogen passivation, graphene characterization by Raman scattering spectroscopy, ellipsometry, atomic force microscopy (AFM), electrostatic force microscopy (EFM) in an external AC bias mode, scanning kelvin probe microscopy (SKPM), current atomic force microscopy (I-AFM) and both contact and non-contact mode AFM.
Obhájené práce:
- Dizertační práce: High mobility two-dimensional electron gas in CdTe quantum wells: High magnetic field studies