Granty:

  • Kunc (**) Ovládání terahertzových plazmonů v grafénových nanostrukturách

    Grantová agentura: GAČR
    Identifikační číslo grantu: 24-10331S
    Hlavní řešitel: P Kužel ()
    Spoluřešitelé: doc. RNDr. Jan Kunc, PhD.

    Annotace grantu

    ccc

  • Kunc (102-033/2204551) Organické polovodiče na SiC a epitaxním grafénu.

    Grantová agentura: GAČR
    Identifikační číslo grantu: 22-04551S
    Hlavní řešitel: doc. RNDr. Jan Kunc, PhD.
    Spoluřešitelé: doc. RNDr. Jan Kunc, PhD.

    Annotace grantu

    aaa

Ukončené granty:

  • Kunc (102-13/201946) Topologické magnetoplasmony v epitaxním grafénu pro širokopásmové detektory...

    Grantová agentura: GAČR
    Identifikační číslo grantu: 19-12052S
    Hlavní řešitel: doc. RNDr. Jan Kunc, PhD.

    Annotace grantu
    aaa

  • Kunc (102-13/201547) Laditelné elektronické a optoelektronické součástky na bázi epitaxního grafénu na SiC

    Grantová agentura: GAČR
    Identifikační číslo grantu: P102/16-15763Y
    Hlavní řešitel: doc. RNDr. Jan Kunc, PhD.

    Annotace grantu
    Epitaxní grafén bude v kombinaci s karbidem křemíku (SiC) využit k výrobě laditelných elektronických a optoelektronických součástek. V projektu bude využíváno unikátních vlastností jak grafénu, tedy polokovu s malou hustou stavů, tak SiC, polovodiče s širokým zakázaným pásem. V rámci projektu proběhne optimalizace růstu epitaxního grafénu a pomocí analyzátoru reziduálních plynů bude kontrolována a charakterizována čistota růstového prostředí. Budou vyrobeny heterostruktury SiC/ grafen/SiC/grafen které jednak umoží změnu koncentrace nosičů náboje v grafénu, a jednak opticky zpřístupní vodivostní kanál v SiC pro optoelektronické aplikace. Budou vyrobeny elektronické laditelné tunelovací diody na bázi rozhraní grafén/kov. Laditelnost bude dosažena možností změny koncentrace nosičů náboje v grafénu.